[업계동향] TSMC, 2026년까지 3nm 공정으로 Arizona Fab에 400억 달러 투자 약속

기사 원문 - https://www.tomshardware.com/news/tsmc-commits-to-expand-arizona-fab-40-billion-investment-and-3nm-by-2026
　

TSMC, 애리조나 팹에 거의 4배 투자

화요일 TSMC는 세계 최대의 칩 계약 제조업체와 미국 고객 모두에게 중요한 이정표인 애리조나 주 피닉스 근처의 팹에서 도구 설치를 공식적으로 시작할 예정 입니다. 부지에 대한 투자를 거의 4배로 늘리고 팹의 생산 능력을 크게 증가시킬 것입니다.

TSMC 애리조나 사이트의 두 번째 팹(또는 보고 싶은 방식에 따라 Fab 21 의 두 번째 단계)은 2026년에 가동될 예정입니다. TSMC의 N3 공정 기술 을 사용하여 웨이퍼를 처리합니다., N3, N3E, N3P, N3S 및 N3X를 포함하는 3nm 클래스 노드. 또한 캠프의 생산 능력을 연간 600,000개의 웨이퍼 시작으로 늘릴 것이라고 회사는 화요일에 발표했습니다. 2026년에 가동될 예정이며 대만 이외 지역에서 파운드리의 가장 발전된 팹 중 하나가 될 것입니다.

애리조나에 있는 TSMC의 첫 번째 팹은 2024년 온라인 상태가 되면 회사의 N5 기술 제품군(N5, N5P, N4, N4P 및 N4X 프로세스)을 사용하여 칩을 생산할 예정입니다. 이 팹의 생산 능력은 월 약 20,000개의 웨이퍼 시작 또는 240,000개입니다. 웨이퍼는 매년 시작되며 약 120억 달러의 투자가 필요합니다.

새로운 N3 가능 생산 시설은 TSMC가 애리조나에서 할 투자의 거의 4배가 될 것입니다. 이 칩 제조업체는 두 팹이 모두 건설되고 생산 도구가 장착될 때 주에 대한 총 투자가 약 400억 달러가 될 것으로 예상하며, 이는 캠프를 지금까지 건설된 가장 비싼 팹 중 하나로 만들 것입니다.

TSMC의 N3 생산 노드 제품군은 2026년에도 극도로 발전할 것이지만 TSMC가 대만에서 사용하기 시작한 후 3~4년이 걸릴 것이라는 점에 유의해야 합니다. 그들은 회사 고객의 요구를 충족시키는 데 도움이 될 것이며 당시 파운드리의 주력 생산 기술은 대만에서 첨단 칩을 만드는 데 사용될 게이트 올 어라운드 트랜지스터가 있는 N2(2nm 클래스)가 될 것입니다. TSMC의 crème-de-la-crème 노드는 대만에 남아 있지만 파운드리는 미국에서도 생산 능력을 향상시킬 것입니다.

시간이 지남에 따라 회사는 Fab 21의 추가 모듈을 구성할 수 있지만 현재로서는 그러한 확장이 몇 년 후이고 TSMC의 고객이 2025년 이후에 어떤 용량을 필요로 할지 불분명하기 때문에 회사는 이에 대해 언급하지 않았습니다. 그리고 삼성은 2025~2026년까지 미국 고객을 위한 최첨단 생산 능력을 갖추게 될 것이므로 파운드리 시장은 앞으로 몇 년 동안 상당히 달라질 것입니다.

TSMC 회장은 "완공되면 TSMC 애리조나는 미국에서 가장 진보된 반도체 공정 기술을 생산하는 미국에서 가장 친환경적인 반도체 제조 시설이 되어 향후 몇 년 동안 차세대 고성능 및 저전력 컴퓨팅 제품을 가능하게 하는 것을 목표로 하고 있습니다."라고 말했습니다. .마크 리우.